Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL3207ZPBF, 75 В, 170 А, 300 Вт, TO262 (набір 5 шт.)
1 880 ₴
- В наявності
- Код: TM203504
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL3207ZPBF, 75 В, 170 А, 300 Вт, TO262 (набір 5 шт.)В наявності
1 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFSL3207ZPBF — це польовий транзистор з каналом збагачення, з максимальним струмом стоку 170 А та напругою стік-витік 75 В. Модель виконана у корпусі TO262 із технологією HEXFET® та має максимальну потужність розсіювання 300 Вт.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 75 В
- Максимальний струм стоку: 170 А
- Потужність розсіювання: 300 Вт
- Корпус: TO262, вставний монтаж
- Технологія: HEXFET®
- Кількість у наборі: 5 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 75 В та витримує струм стоку до 170 А. Максимальна потужність розсіювання становить 300 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі TO262 із вставним типом монтажу. Використовується технологія HEXFET®. Полярність транзистора — уніполярна, канал — збагачений (N-тип).
Комплектація
Товар поставляється набором із 5 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 300 Вт |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 170 А |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO262 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 880 ₴