Транзистор N-MOSFET Infineon Technologies IRFS7530TRL7PP, 60 В, 240 А, 375 Вт, D2PAK-7 (набір 5 шт.)
2 410 ₴
- В наявності
- Код: TM203503
Транзистор N-MOSFET Infineon Technologies IRFS7530TRL7PP, 60 В, 240 А, 375 Вт, D2PAK-7 (набір 5 шт.)В наявності
2 410 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор Infineon Technologies IRFS7530TRL7PP з каналом N-типу (N-MOSFET): напруга стік-витік 60 В, струм стоку 240 А, максимальна потужність розсіювання 375 Вт. У наборі 5 шт.
- Напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 240 А
- Максимальна потужність розсіювання: 375 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 1,4 мОм
- Корпус: D2PAK-7
- Кількість у наборі: 5 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 1,4 мОм. Заряд затвора — 236 нКл.
Конструкція та монтаж
Корпус — D2PAK-7, тип монтажу — поверхневий. Технологія — HEXFET®. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), полярність — уніполярний транзистор.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 240 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK-7 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 410 ₴