Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR7546TRPBF, 60В, 71А, DPAK (набір 20 шт.)

2 190 ₴

  • В наявності
  • Код: TM203497
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR7546TRPBF, 60В, 71А, DPAK (набір 20 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR7546TRPBF, 60В, 71А, DPAK (набір 20 шт.)В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFR7546TRPBF — польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі DPAK. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 71 А.

  • Тип транзистора: польовий N-MOSFET
  • Максимальна напруга стік-витік: 60 В
  • Максимальний струм стоку: 71 А
  • Потужність розсіювання: 99 Вт
  • Опір у відкритому стані: 7.9 мОм
  • Корпус: DPAK, монтаж поверхневий
  • Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 60 В та витримує струм стоку до 71 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 7.9 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 99 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі типу DPAK. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Поляризація транзистора — уніполярна.

Канал та поляризація

Транзистор має канал збагачення (wzbogacany) та уніполярну поляризацію (unipolarny). Це визначає принцип роботи пристрою та його електричні характеристики.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання99 Вт
Максимально допустима напруга стік-витік60 В
Максимально допустимий струм стоку71 А
Опір у відкритому стані (Rds)7.9 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Гарантійний термін12 міс
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусDPAK
ТехнологіяHEXFET®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 190 ₴