Транзистор N-MOSFET Vishay IRFR110PBF, 100 В, 2,7 А, DPAK (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFR110PBF — це польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для роботи в електронних схемах. Модель має максимальну напругу стік-витік 100 В та струм стоку 2,7 А, що відповідає параметрам, зазначеним у специфікації виробника.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий, з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 100 В
• Максимальний струм стоку: 2,7 А (імпульсний 17 А)
• Потужність розсіювання: 25 Вт
• Корпус: DPAK (TO252), поверхневий монтаж
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 100 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 2,7 А, а імпульсний струм — 17 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 540 мОм, що визначає теплові втрати при пропусканні струму.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 25 Вт. Прилад виконаний у корпусі DPAK (TO252). Тип монтажу — поверхневий.

Комплектація

У комплекті постачається 20 транзисторів Vishay IRFR110PBF.