Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRFP9140NPBF, -100 В, -21 А, 120 Вт, TO247AC (набір 10 шт.)
2 750 ₴
- В наявності
- Код: TM203489
Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRFP9140NPBF, -100 В, -21 А, 120 Вт, TO247AC (набір 10 шт.)В наявності
2 750 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор Infineon Technologies IRFP9140NPBF з каналом P-типу (P-MOSFET): напруга стік-витік -100 В, струм стоку -21 А, максимальна потужність розсіювання 120 Вт. У наборі 10 шт.
- Напруга стік-витік: -100 В
- Струм стоку: -21 А
- Максимальна потужність розсіювання: 120 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 117 мОм
- Корпус: TO247AC
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 117 мОм. Заряд затвора — 64,7 нКл.
Конструкція та монтаж
Корпус — TO247AC, тип монтажу — вставний. Технологія — HEXFET®. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), полярність — уніполярний транзистор.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 120 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 117 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 750 ₴