Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP3710PBF, 100 В, 51 А, 180 Вт, TO247AC (набір 10 шт.)
2 570 ₴
- В наявності
- Код: TM203487
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP3710PBF, 100 В, 51 А, 180 Вт, TO247AC (набір 10 шт.)В наявності
2 570 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP3710PBF — польовий транзистор у корпусі TO247AC. Модель розрахована на напругу стік-витік 100 В, струм стоку 51 А та потужність розсіювання 180 Вт. У комплекті 10 шт.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 100 В
- Струм стоку: 51 А
- Потужність розсіювання: 180 Вт
- Корпус: TO247AC, вставний монтаж
- Опір у відкритому стані: 25 мОм
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 100 В та максимально допустимий струм стоку 51 А. Максимальна потужність розсіювання становить 180 Вт. Напруга затвор-витік обмежена 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 25 мОм.
Конструкція та монтаж
Виріб виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі TO247AC. Тип монтажу — вставний. Канал транзистора — збагачений (enhancement), полярність — уніполярна. Заряд затвора становить 66,7 нКл.
Комплектація
У наборі 10 транзисторів моделі IRFP3710PBF від виробника Infineon Technologies.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 180 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 51 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 25 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO247AC |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 570 ₴