Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP260MPBF, 200 В, 35 А, TO247AC (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFP260MPBF — це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 200 В та струм стоку 35 А. Прилад виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі TO247AC для монтажу у отвори.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 200 В
• Максимальний струм стоку: 35 А
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Корпус: TO247AC, монтаж у отвори
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 200 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 35 А. Опір у відкритому стані (Rds) складає 40 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 300 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі TO247AC. Тип монтажу — вставний (THT), що вимагає відповідних отворів на друкованій платі. Технологія виготовлення — HEXFET®.

Комплектація

У наборі постачається 10 транзисторів IRFP260MPBF.