Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFH7440TRPBF, 40 В, 85 А, PQFN5X6 (набір 20 шт.)

3 340 ₴

  • В наявності
  • Код: TM203474
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFH7440TRPBF, 40 В, 85 А, PQFN5X6 (набір 20 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFH7440TRPBF, 40 В, 85 А, PQFN5X6 (набір 20 шт.)В наявності
3 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFH7440TRPBF — це польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі PQFN5X6. Прилад розрахований на максимальну напругу стік-витік 40 В та струм стоку 85 А.

  • Тип транзистора: польовий N-MOSFET
  • Максимальна напруга стік-витік: 40 В
  • Максимальний струм стоку: 85 А
  • Опір у відкритому стані: 2.4 мОм
  • Корпус: PQFN5X6
  • Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимально допустиму напругу стік-витік 40 В та напругу затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 85 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 2.4 мОм. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 104 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією HEXFET® та має поверхневий тип монтажу. Корпус: PQFN5X6. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом.

Додаткові характеристики

Заряд затвора становить 92 нКл.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання104 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік40 В
Максимально допустимий струм стоку85 А
Опір у відкритому стані (Rds)2.4 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
Гарантійний термін12 міс
Кількість у комплекті20 шт.
КорпусPQFN5X6
ТехнологіяHEXFET®
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 340 ₴