Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBG30PBF, 1000 В, 2 А, 125 Вт, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBG30PBF — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220AB. Призначений для роботи з напругою стік-витік до 1000 В та струмом стоку до 2 А.

• Тип транзистора: польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 1000 В
• Максимальний струм стоку: 2 А
• Потужність розсіювання: 125 Вт
• Корпус: TO220AB
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 1000 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 2 А, що визначає робочий режим пристрою. Опір у відкритому стані (Rds) — 5000 мОм.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання транзистора — 125 Вт. Корпус TO220AB забезпечує вставний тип монтажу. Заряд затвора становить 80 нКл.

Комплектація

У наборі постачається 10 транзисторів.