Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBE30SPBF, 800 В, 2,6 А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRFBE30SPBF — польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі D2PAK (TO263). Призначений для роботи з напругою стік-витік до 800 В та струмом стоку 2,6 А.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стоку: 2,6 А
• Потужність розсіювання: 125 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), поверхневий монтаж
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний постійний струм стоку дорівнює 2,6 А, при цьому імпульсний струм може досягати 16 А. Максимальна потужність розсіювання — 125 Вт.

Опір та заряд затвора

Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 3000 мОм. Заряд затвора становить 78 нКл. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення (wzbogacany).

Монтаж та корпус

Транзистор має поверхневий тип монтажу (SMD) та виконаний у корпусі D2PAK, також відомому як TO263. У комплекті поставляється 10 штук.