Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB5615PBF, 150В, 35А, TO220AB (набір 20 шт.)
3 360 ₴
- В наявності
- Код: TM203471
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB5615PBF, 150В, 35А, TO220AB (набір 20 шт.)В наявності
3 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB5615PBF — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220AB. У комплекті 20 одиниць.
- Тип: N-MOSFET, польовий транзистор
- Напруга стік-витік: 150 В
- Струм стоку: 35 А
- Потужність розсіювання: 144 Вт
- Корпус: TO220AB, вставний монтаж
- Комплект: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 150 В та струм стоку 35 А. Максимальна потужність розсіювання становить 144 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 39 мОм, а максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В.
Конструкція та монтаж
Виріб виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі TO220AB. Тип монтажу — вставний (THT). Поляризація транзистора — уніполярна.
Комплектація та ідентифікація
У наборі 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 144 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 35 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 39 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 360 ₴