Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB52N15DPBF, 150 В, 60 А, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB52N15DPBF — польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220AB. Максимальна напруга стік-витік становить 150 В, а струм стоку — 60 А.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 150 В
• Максимальний струм стоку: 60 А
• Потужність розсіювання: 320 Вт
• Опір у відкритому стані: 32 мОм
• Корпус: TO220AB, вставний монтаж
• Комплектація: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимальною напругою стік-витік 150 В та максимальною напругою затвор-витік 30 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 60 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 32 мОм, що визначає втрати потужності при комутації.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання транзистора — 320 Вт. Пристрій виготовлений за технологією HEXFET®. Корпус TO220AB призначений для вставного монтажу. Заряд затвора — 60 нКл.