Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4019PBF, 150 В, 17 А, TO220AB (набір 20 шт.)
3 190 ₴
- В наявності
- Код: TM203469
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4019PBF, 150 В, 17 А, TO220AB (набір 20 шт.)В наявності
3 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB4019PBF — це польовий транзистор з каналом збагачення (enhancement) у корпусі TO220AB. У комплекті поставляється 20 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 150 В
- Максимальний струм стоку: 17 А
- Потужність розсіювання: 80 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 95 мОм
- Корпус: TO220AB
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри та конструкція
Максимальна напруга стік-витік становить 150 В, а максимально допустимий струм стоку — 17 А. Максимальна потужність розсіювання дорівнює 80 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 95 мОм.
Транзистор виготовлений за технологією HEXFET®. Тип монтажу — вставний. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Заряд затвора становить 13 нКл. Поляризація транзистора — уніполярна.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 80 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 150 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 17 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 95 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 190 ₴