Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3307PBF, 75 В, 130 А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 660 ₴
- В наявності
- Код: TM203468
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3307PBF, 75 В, 130 А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 660 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3307PBF — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220AB. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 75 В та струм стоку 130 А. У комплекті поставляється 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 75 В
- Максимальний струм стоку: 130 А
- Потужність розсіювання: 250 Вт
- Опір у відкритому стані: 6,3 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж вставний
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 75 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимальний струм стоку становить 130 А, а потужність розсіювання — 250 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 6,3 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі TO220AB. Тип монтажу — вставний (THT). Транзистор є однополярним (unipolarny) з каналом збагачення (wzbogacany).
Комплектація
У наборі міститься 10 транзисторів IRFB3307PBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 250 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 130 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 6.3 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 660 ₴