Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3006PBF, 60В, 270А, TO220AB, набір 10 шт.
2 580 ₴
- В наявності
- Код: TM203467
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3006PBF, 60В, 270А, TO220AB, набір 10 шт.В наявності
2 580 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRFB3006PBF — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220AB. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 270 А. У комплекті поставляється 10 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 270 А
- Потужність розсіювання: 375 Вт
- Опір у відкритому стані: 2,5 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж вставний
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та напругу затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 270 А, а потужність розсіювання — 375 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 2,5 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі TO220AB. Тип монтажу — вставний. Поляризація транзистора — уніполярна, канал — збагачуваний.
Комплектація
У наборі міститься 10 транзисторів IRFB3006PBF.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 375 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 270 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2.5 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 580 ₴