Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF9Z34NPBF, -55 В, -19 А, 68 Вт, TO220AB (набір 30 шт.)
2 560 ₴
- В наявності
- Код: TM203464
Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF9Z34NPBF, -55 В, -19 А, 68 Вт, TO220AB (набір 30 шт.)В наявності
2 560 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Польовий транзистор Infineon Technologies IRF9Z34NPBF з каналом P-типу (P-MOSFET): напруга стік-витік -55 В, струм стоку -19 А, максимальна потужність розсіювання 68 Вт. У наборі 30 шт.
- Напруга стік-витік: -55 В
- Струм стоку: -19 А
- Максимальна потужність розсіювання: 68 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 100 мОм
- Корпус: TO220AB
- Кількість у наборі: 30 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) — 100 мОм. Заряд затвора — 23,3 нКл.
Конструкція та монтаж
Корпус — TO220AB, тип монтажу — вставний. Технологія — HEXFET®. Тип каналу — збагачений (режим збагачення), полярність — уніполярний транзистор.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 68 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 560 ₴