Транзистор N-MOSFET Vishay IRF830PBF, 500 В, 2,9 А, TO220AB (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRF830PBF — це польовий транзистор з каналом збагачення. Модель має максимальну напругу стік-витік 500 В та струм стоку 2,9 А. Корпус TO220AB. Максимальна потужність розсіювання — 74 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий, уніполярний
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Максимальний струм стоку: 2,9 А (імпульсний 18 А)
• Потужність розсіювання: 74 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж вставний
• Кількість у наборі: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 500 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимальний постійний струм стоку становить 2,9 А, а імпульсний струм може досягати 18 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 1500 мОм. Загальний заряд затвора — 38 нКл.

Конструкція та монтаж

Компонент виконаний у корпусі TO220AB. Тип монтажу — вставний (THT). Канал транзистора — збагачений, полярність — уніполярна.

Комплектація

У наборі постачається 20 транзисторів Vishay IRF830PBF.