Транзистор N-MOSFET Vishay IRF820ASPBF, 500 В, 2,5 А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRF820ASPBF — це польовий транзистор із каналом збагачення, призначений для роботи в електричних колах із напругою до 500 В. Модель виконана в корпусі D2PAK (TO263) для поверхневого монтажу та має максимальну потужність розсіювання 50 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 500 В
• Струм стоку: 2,5 А (імпульсний до 10 А)
• Потужність розсіювання: 50 Вт
• Корпус: D2PAK (TO263), поверхневий монтаж
• Набір: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 500 В та струмом стоку 2,5 А. У імпульсному режимі допустимий струм може досягати 10 А. Напруга затвор-витік обмежена значенням 30 В, а опір у відкритому стані (Rds) становить 3000 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі D2PAK (TO263). Тип монтажу — поверхневий. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.

Комплектація та додаткові параметри

Товар поставляється набором із 10 транзисторів. Заряд затвора становить 17 нКл.