Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7205TRPBF, SO8, 30 шт.
2 610 ₴
- В наявності
- Код: TM203448
Транзистор P-MOSFET Infineon IRF7205TRPBF, SO8, 30 шт.В наявності
2 610 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IRF7205TRPBF. Це польовий транзистор з каналом збагачення, з поверхневим типом монтажу в корпусі SO8. У комплекті поставляється 30 одиниць.
- Тип транзистора: польовий (P-MOSFET)
- Корпус: SO8, поверхневий монтаж
- Максимальна потужність розсіювання: 2,5 Вт
- Кількість у комплекті: 30 шт.
- Технологія: HEXFET®
- Канал: збагачення (unipolarny)
Електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 2,5 Вт. Згідно з даними виробника, пристрій є уніполярним із каналом збагачення (P-MOSFET). Ці характеристики визначають робочий режим компонента в електричних схемах.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SO8, що передбачає поверхневий тип монтажу (SMD). Технологія виготовлення: HEXFET®.
Комплектація
У наборі міститься 30 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 2.5 Вт |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 610 ₴