Транзистор N-MOSFET Vishay IRF640PBF, 200 В, 11 А, TO220AB (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay IRF640PBF — польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220AB. Максимальна напруга стік-витік становить 200 В, а струм стоку — 11 А.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 200 В
• Максимальний струм стоку: 11 А
• Максимальна потужність розсіювання: 125 Вт
• Корпус: TO220AB, вставний монтаж
• Опір у відкритому стані: 180 мОм

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 200 В та напругу затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 11 А, а імпульсний струм може досягати 72 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 180 мОм, що визначає втрати при пропусканні струму.

Потужність та монтаж

Максимальна потужність розсіювання транзистора — 125 Вт. Прилад виконаний у корпусі TO220AB з вставним типом монтажу. Заряд затвора становить 70 нКл. Транзистор є уніполярним.