Транзистор N-MOSFET Infineon IRF640NPBF, 200 В, 18 А, TO220AB, набір 20 шт.
3 050 ₴
- В наявності
- Код: TM203446
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF640NPBF, 200 В, 18 А, TO220AB, набір 20 шт.В наявності
3 050 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 польових транзисторів N-MOSFET Infineon IRF640NPBF у корпусі TO220AB. Призначені для монтажу у виводи (вставний тип).
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 200 В
- Максимальний струм стоку: 18 А
- Потужність розсіювання: 150 Вт
- Корпус: TO220AB, вставний монтаж
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистори мають максимальну напругу стік-витік 200 В та максимально допустимий струм стоку 18 А. Максимальна потужність розсіювання становить 150 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 150 мОм.
Конструкція та монтаж
Компоненти виготовлені за технологією HEXFET® у корпусі TO220AB. Тип монтажу — вставний (THT), що передбачає пайку виводів у отвори друкованої плати.
Комплектація та ідентифікація
У наборі 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 18 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 150 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 050 ₴