Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics IRF630, 200 В, 5.7 А, TO220-3 — набір 20 шт.
2 920 ₴
- В наявності
- Код: TM203445
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics IRF630, 200 В, 5.7 А, TO220-3 — набір 20 шт.В наявності
2 920 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics IRF630 — це польовий транзистор з каналом збагачення, однополярний (unipolarny) у корпусі TO220-3. Модель виготовлена за технологією MESH OVERLAY™ II у версії ESD.
- Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
- Максимальна напруга стік-витік: 200 В
- Максимальний струм стоку: 5.7 А
- Корпус: TO220-3, вставний монтаж
- Технологія: MESH OVERLAY™ II
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 200 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 5.7 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 400 mOm.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі TO220-3 з вставним типом монтажу. Максимальна потужність розсіювання — 75 Вт. Версія компонента позначена як ESD.
Комплектація
У комплекті поставки знаходиться 20 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Максимальна потужність розсіювання | 75 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 200 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 5.7 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 400 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технологія | MESH OVERLAY™ II |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 920 ₴