Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF5305PBF, -55 В, -31 А, 110 Вт, TO220AB (набір 20 шт.)
2 710 ₴
- В наявності
- Код: TM203443
Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF5305PBF, -55 В, -31 А, 110 Вт, TO220AB (набір 20 шт.)В наявності
2 710 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF5305PBF — польовий (уніполярний) транзистор з P-каналом у корпусі TO220AB. Напруга стік-витік становить -55 В, струм стоку -31 А, максимальна потужність розсіювання 110 Вт.
- Напруга стік-витік: -55 В
- Струм стоку: -31 А
- Максимальна потужність розсіювання: 110 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 60 мОм
- Заряд затвора: 42 нКл
- Корпус: TO220AB
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір каналу у відкритому стані (Rds) — 60 мОм. Заряд затвора — 42 нКл. Режим роботи каналу — збагачення.
Конструкція та монтаж
Монтаж — вставний (THT). Технологія — HEXFET®.
Комплектація
У наборі 20 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 110 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 710 ₴