Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF5210PBF, -100 В, -40 А, 200 Вт, TO220AB (набір 10 шт.)
2 580 ₴
- В наявності
- Код: TM203442
Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF5210PBF, -100 В, -40 А, 200 Вт, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 580 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET Infineon Technologies IRF5210PBF — польовий (уніполярний) транзистор з P-каналом у корпусі TO220AB. Напруга стік-витік становить -100 В, струм стоку -40 А, максимальна потужність розсіювання 200 Вт.
- Напруга стік-витік: -100 В
- Струм стоку: -40 А
- Максимальна потужність розсіювання: 200 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 60 мОм
- Заряд затвора: 0,12 мкКл
- Корпус: TO220AB
Електричні параметри
Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В. Опір каналу у відкритому стані (Rds) — 60 мОм. Заряд затвора — 0,12 мкКл. Режим роботи каналу — збагачення.
Конструкція та монтаж
Монтаж — вставний (THT). Технологія — HEXFET®.
Комплектація
У наборі 10 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 200 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 60 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 580 ₴