Транзистор N-MOSFET Infineon IRF4104PBF, 40 В, 120 А, TO220AB, набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IRF4104PBF — це польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі TO220AB. Максимальна напруга стік-витік становить 40 В, а струм стоку — 120 А при потужності розсіювання 140 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 40 В
• Максимальний струм стоку: 120 А
• Потужність розсіювання: 140 Вт
• Опір у відкритому стані: 5.5 мОм
• Корпус: TO220AB, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 40 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 120 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 5.5 мОм.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією HEXFET® та має вставний тип монтажу. Корпус TO220AB. Поляризація транзистора — уніполярна, канал — збагачений (enhancement mode).

Технічні характеристики та конструкція

У наборі постачається 20 шт. транзисторів IRF4104PBF.