
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1407PBF, 75 В, 130 А, TO220AB, комплект 10 шт.
2 220 ₴
- В наявності
- Код: TM203438
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IRF1407PBF у корпусі TO220AB. Це польовий транзистор з максимальним струмом стоку 130 А та напругою стік-витік 75 В. У комплекті 10 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальний струм стоку: 130 А
- Напруга стік-витік: 75 В
- Потужність розсіювання: 330 Вт
- Корпус: TO220AB
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 75 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 130 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 7.8 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 330 Вт.
Конструкція та монтаж
Транзистор виготовлений за технологією HEXFET® у корпусі TO220AB. Тип монтажу — вставний. Канал транзистора — збагачуваний (wzbogacany), полярність — уніполярна.
Комплектація та ідентифікація
У наборі 10 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 330 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 75 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 130 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 7.8 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технологія | HEXFET® |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 220 ₴
