Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET Infineon IPW80R280P7XKSA1, 800 В, 10,6 А, PG-TO247-3 (набір 10 шт.)

3 550 ₴

  • В наявності
  • Код: TM203429
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW80R280P7XKSA1, 800 В, 10,6 А, PG-TO247-3 (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET Infineon IPW80R280P7XKSA1, 800 В, 10,6 А, PG-TO247-3 (набір 10 шт.)В наявності
3 550 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPW80R280P7XKSA1 — це польовий транзистор з каналом, що збагачується, у корпусі PG-TO247-3. Модель належить до технології CoolMOS™ P7 та має версію ESD. У комплекті поставляється 10 штук.

  • Тип транзистора: польовий N-MOSFET
  • Напруга стік-витік: 800 В
  • Струм стоку: 10,6 А
  • Опір у відкритому стані: 280 мОм
  • Потужність розсіювання: 101 Вт
  • Корпус: PG-TO247-3
  • Комплектація: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 800 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 10,6 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 280 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 101 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі PG-TO247-3 з вставним типом монтажу. Заряд затвора — 36 нКл. Транзистор є уніполярним.

Характеристики
Основні
ВиробникInfineon Technologies
Максимальна потужність розсіювання101 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік800 В
Максимально допустимий струм стоку10.6 А
Опір у відкритому стані (Rds)280 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Додаткові характеристики
СтанНовий
Користувальницькі характеристики
ВерсіяESD
Гарантійний термін12 міс
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусPG-TO247-3
ТехнологіяCoolMOS™ P7
Інформація для замовлення
  • Ціна: 3 550 ₴