Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R041C6FKSA1, 600 В, 77,5 А, 481 Вт (PG-TO247-3) — набір 2 шт.

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPW60R041C6FKSA1. Це польовий транзистор з каналом типу збагачення, розрахований на напругу 600 В та струм 77,5 А. У комплекті поставляється 2 штуки.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 77,5 А
• Потужність розсіювання: 481 Вт
• Опір у відкритому стані: 41 мОм
• Корпус: PG-TO247-3
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 600 В та максимально допустимий струм стоку 77,5 А. Максимальна потужність розсіювання становить 481 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 41 мОм, а максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі PG-TO247-3 з вставним типом монтажу. Використовується технологія CoolMOS™ C6. Транзистор є уніполярним з каналом типу wzbogacany (збагачений).

Комплектація

У наборі знаходиться 2 транзистори.