Транзистор N-MOSFET Infineon IPW60R017C7XKSA1, 600 В, 109 А, TO247 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPW60R017C7XKSA1. Це польовий транзистор з напругою стік-витік 600 В та струмом стоку 109 А у корпусі TO247. У комплекті поставляється 2 штуки.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 600 В
• Максимальний струм стоку: 109 А
• Потужність розсіювання: 446 Вт
• Опір у відкритому стані: 17 мОм
• Корпус: TO247, вставний монтаж
• Кількість у комплекті: 2 шт.

Електричні параметри та характеристики

Максимальна напруга стік-витік становить 600 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 109 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 17 мОм.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання транзистора — 446 Вт. Пристрій має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі TO247. Зарядка затвора становить 240 нКл, канал — збагачуваний, полярність — уніполярна.

Комплектація та ідентифікація

У наборі знаходиться 2 транзистори. Символ виробника: IPW60R017C7XKSA1.