Транзистор N-MOSFET Infineon IPU95R750P7AKMA1, 950 В, 5,5 А, IPAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPU95R750P7AKMA1 — це польовий транзистор з каналом збагачення, виконаний у корпусі IPAK. Модель належить до технології CoolMOS™ P7 та має захист від електростатичного розряду (ESD).

• Тип монтажу: вставний
• Напруга стік-витік: 950 В
• Струм стоку: 5,5 А
• Потужність розсіювання: 73 Вт
• Опір відкритого стану: 750 мОм
• Корпус: IPAK
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 950 В, а струм стоку — 5,5 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 750 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 73 Вт, а напруга затвор-витік обмежена 20 В.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у корпусі IPAK із вставним типом монтажу. Канал транзистора є збагачуваним (wzbogacany), а полярність — уніполярною. Версія ESD забезпечує захист від електростатичного розряду, а технологія CoolMOS™ P7 визначає структуру приладу. Заряд затвора становить 23 нКл. У комплекті постачається 10 транзисторів.