Транзистор N-MOSFET Infineon IPU95R2K0P7AKMA1, 950В, 2,4А, IPAK (набір 40 шт.)
2 200 ₴
- В наявності
- Код: TM203424
Транзистор N-MOSFET Infineon IPU95R2K0P7AKMA1, 950В, 2,4А, IPAK (набір 40 шт.)В наявності
2 200 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET бренду Infineon Technologies, модель IPU95R2K0P7AKMA1. Це польовий транзистор з напругою стік-витік 950 В та струмом стоку 2,4 А у корпусі IPAK. Позиція постачається набором із 40 штук.
- Напруга стік-витік: 950 В
- Струм стоку: 2,4 А
- Потужність розсіювання: 37 Вт
- Опір у відкритому стані: 2000 мОм
- Корпус: IPAK, монтаж: вставний
- Технологія: CoolMOS™ P7
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 950 В, що визначає робочий діапазон пристрою. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 2,4 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 2000 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 37 Вт.
Конструкція та монтаж
Транзистор має вставний тип монтажу та корпус IPAK. Це польовий транзистор (польовий) з каналом типу «wzbogacany» (збагачений) та уніполярною поляризацією. Версія виконання — ESD. Використовується технологія CoolMOS™ P7.
Комплектація
У комплекті 40 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 37 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 950 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2.4 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 2000 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | IPAK |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 200 ₴