Транзистор N-MOSFET Infineon IPU80R1K0CEBKMA1, 800 В, 5,7 А, IPAK (набір 50 шт.)

Транзистор N-MOSFET бренду Infineon Technologies, модель IPU80R1K0CEBKMA1. Це польовий транзистор з вставним монтажем у корпусі IPAK, який постачається набором із 50 штук.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стоку: 5,7 А
• Потужність розсіювання: 83 Вт
• Опір у відкритому стані: 950 мОм
• Корпус: IPAK, вставний монтаж
• Технологія: CoolMOS™ CE
• Кількість у комплекті: 50 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 800 В та максимально допустимий струм стоку 5,7 А. Максимальна потужність розсіювання становить 83 Вт, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 950 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік обмежена значенням 20 В.

Конструкція та монтаж

Пристрій має вставний тип монтажу та виконаний у корпусі IPAK. Застосована технологія виробництва — CoolMOS™ CE. Канал транзистора є збагачуваним, а полярність — уніполярною.

Комплектація

У комплекті поставляється 50 транзисторів.