Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R299CPXKSA1, 600 В, 11 А, 96 Вт (набір 20 шт.)
3 600 ₴
- В наявності
- Код: TM203421
Транзистор N-MOSFET Infineon IPP60R299CPXKSA1, 600 В, 11 А, 96 Вт (набір 20 шт.)В наявності
3 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPP60R299CPXKSA1. Це польовий транзистор з технологією CoolMOS™ CP у корпусі PG-TO220-3, що постачається набором із 20 штук.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 11 А
- Потужність розсіювання: 96 Вт
- Опір у відкритому стані: 299 мОм
- Корпус: PG-TO220-3
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 11 А, а потужність розсіювання — 96 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) — 299 мОм.
Конструкція та монтаж
Використовується технологія CoolMOS™ CP. Корпус PG-TO220-3 забезпечує вставний тип монтажу. Канал транзистора є збагаченим, а полярність — уніполярною.
Технологія та корпус
У комплекті постачається 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 96 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 11 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 299 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO220-3 |
| Технологія | CoolMOS™ CP |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 600 ₴