Транзистор N-MOSFET Infineon IPP200N25N3GXKSA1, 250 В, 64 А, 300 Вт, PG-TO220-3 (набір 5 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPP200N25N3GXKSA1 — це польовий транзистор з каналом збагачення (enhancement mode) у корпусі PG-TO220-3. Пристрій має максимальну напругу стік-витік 250 В, струм стоку 64 А та потужність розсіювання 300 Вт. У комплекті поставляється 5 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET, польовий, збагачений канал
• Максимальна напруга стік-витік: 250 В
• Максимальний струм стоку: 64 А
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 20 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, вставний монтаж
• Технологія: OptiMOS™ 3
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 250 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 64 А. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 20 мОм. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 300 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3 та має тип монтажу «вставний» (through-hole). Корпус PG-TO220-3. Транзистор є уніполярним із збагаченим каналом.

Комплектація та ідентифікація

У наборі міститься 5 транзисторів Infineon IPP200N25N3GXKSA1. Символ виробника: IPP200N25N3GXKSA1.