Транзистор N-MOSFET Infineon IPP034NE7N3GXKSA1, 75В, 100А, 214Вт, PG-TO220-3 (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPP034NE7N3GXKSA1. Це польовий транзистор з каналом типу N (wzbogacany) у корпусі PG-TO220-3 для монтажу у розрив плати (вставний).

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 75 В
• Максимальний струм стоку: 100 А
• Потужність розсіювання: 214 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 3.4 мОм
• Корпус: PG-TO220-3, вставний монтаж
• Технологія: OptiMOS™ 3
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 75 В, а максимально допустимий струм стоку — 100 А. Потужність розсіювання досягає 214 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 3.4 мОм, що характеризує провідність каналу при відкритому затворі.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO220-3 призначений для вставного монтажу (THT). Полярність транзистора — уніполярна.

Комплектація та ідентифікація

У наборі поставляється 10 шт. транзисторів. Символ виробника для ідентифікації моделі — IPP034NE7N3GXKSA1.