Транзистор N-MOSFET Infineon IPN80R4K5P7ATMA1, 800 В, 1 А, 6 Вт, PG-SOT223 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPN80R4K5P7ATMA1 — це польовий транзистор з каналом збагачення, що працює з напругою стік-витік до 800 В та струмом стоку 1 А. Пристрій виконаний у корпусі PG-SOT223 з поверхневим монтажем та має максимальну потужність розсіювання 6 Вт.

• Напруга стік-витік: 800 В
• Струм стоку: 1 А
• Потужність розсіювання: 6 Вт
• Корпус: PG-SOT223
• Технологія: CoolMOS™ P7
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор характеризується максимально допустимою напругою стік-витік 800 В та максимально допустимим струмом стоку 1 А. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 4500 mOm. Максимальна потужність розсіювання обмежена значенням 6 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений за технологією CoolMOS™ P7 та має версію ESD. Корпус PG-SOT223 забезпечує поверхневий монтаж на друковану плату. Тип транзистора — польовий, з каналом збагачення (wzbogacany).

Комплектація

У комплекті поставляється 30 шт. транзисторів.