Транзистор N-MOSFET Infineon IPI90R800C3XKSA1, 900 В, 4,4 А, 104 Вт (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPI90R800C3XKSA1. Це польовий транзистор збагаченого типу (enhancement mode) у корпусі PG-TO262-3, призначений для роботи з напругою до 900 В та струмом до 4,4 А. У комплекті поставляється 30 одиниць.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, збагачений канал)
• Максимальна напруга стік-витік: 900 В
• Максимальний струм стоку: 4,4 А
• Потужність розсіювання: 104 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 800 мОм
• Корпус: PG-TO262-3, монтаж вставний
• Технологія: CoolMOS™
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік (Vds) становить 900 В, що визначає робочий діапазон напруги. Максимально допустимий струм стоку (Id) дорівнює 4,4 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 800 мОм.

Потужність та керування

Максимальна потужність розсіювання — 104 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік (Vgs) обмежена значенням 20 В. Транзистор виготовлений за технологією CoolMOS™, що є характерною рисою силових MOSFET-транзисторів Infineon.

Комплектація та монтаж

Тип монтажу — вставний (THT). Корпус PG-TO262-3 для монтажу на плату. У наборі 30 транзисторів.