Транзистор N-MOSFET Infineon IPI076N12N3GAKSA1, 120В, 100А, 168Вт, PG-TO262-3 (10 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPI076N12N3GAKSA1. Це польовий транзистор з вставним монтажем у корпусі PG-TO262-3, розрахований на максимальну напругу стік-витік 120 В та струм стоку 100 А.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 120 В
• Максимальний струм стоку: 100 А
• Потужність розсіювання: 168 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 7.6 мОм
• Корпус: PG-TO262-3
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну потужність розсіювання 168 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік становить 120 В, а затвор-витік — 20 В. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 100 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 7.6 мОм.

Конструкція та монтаж

Виріб виготовлений за технологією OptiMOS™ 3. Тип монтажу — вставний. Корпус — PG-TO262-3. Канал транзистора — збагачений (enhancement), полярність — уніполярна.

Комплектація

У комплекті поставляється 10 шт. транзисторів (Symbol TME: IPI076N12N3GAKSA1).