Транзистор N-MOSFET Infineon IPD95R450P7ATMA1, 950 В, 8,6 А, DPAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPD95R450P7ATMA1 — польовий транзистор із технологією CoolMOS™ P7 у корпусі DPAK. Пристрій розрахований на максимальну напругу стік-витік 950 В та струм стоку 8,6 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 950 В
• Максимальний струм стоку: 8,6 А
• Опір у відкритому стані (Rds): 450 мОм
• Корпус: DPAK, поверхневий монтаж
• Технологія: CoolMOS™ P7
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 950 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 8,6 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 450 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 104 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виконаний у поверхневому монтажі (SMD) у корпусі DPAK. Канал транзистора — збагачуваний (enhancement mode), полярність — уніполярна. Заряд затвора становить 35 нКл.

Комплектація та версія

У комплекті поставляється 10 транзисторів. Версія пристрою: ESD.