Транзистор N-MOSFET Infineon IPD80R1K4P7ATMA1, 800 В, 2,7 А, 32 Вт, PG-TO252-3 (набір 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPD80R1K4P7ATMA1. Це польовий транзистор з технологією CoolMOS™ у корпусі PG-TO252-3, призначений для поверхневого монтажу. У комплекті поставляється 20 одиниць.

• Максимальна напруга стік-витік: 800 В
• Максимальний струм стоку: 2,7 А
• Потужність розсіювання: 32 Вт
• Опір у відкритому стані: 1400 мОм
• Корпус: PG-TO252-3, поверхневий монтаж
• Технологія: CoolMOS™, версія ESD
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну напругу стік-витік 800 В та максимально допустимий струм стоку 2,7 А. Максимальна потужність розсіювання становить 32 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 1400 мОм. Максимально допустима напруга затвор-витік — 20 В.

Конструкція та монтаж

Виріб виконаний у корпусі PG-TO252-3 з типом монтажу «Поверхневий». Транзистор є уніполярним (unipolarny) з каналом типу «wzbogacany» (збагачений). Версія компонента позначена як ESD. Використовується технологія CoolMOS™.

Комплектація та версія

У наборі міститься 20 транзисторів.