Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R280P7ATMA1, 600В, 8А, 53Вт, PG-TO252-3 (набір 10 шт.)
2 040 ₴
- В наявності
- Код: TM203411
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R280P7ATMA1, 600В, 8А, 53Вт, PG-TO252-3 (набір 10 шт.)В наявності
2 040 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD60R280P7ATMA1 — це польовий транзистор із каналом типу n та технологією CoolMOS™ P7. У комплекті поставляється 10 одиниць у корпусі PG-TO252-3.
- Тип транзистора: польовий N-MOSFET
- Максимальна напруга стік-витік: 600 В
- Максимальний струм стоку: 8 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 280 мОм
- Корпус: PG-TO252-3, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Максимально допустима напруга стік-витік (Vds) становить 600 В. Максимально допустимий струм стоку (Id) дорівнює 8 А, а опір у відкритому стані (Rds) — 280 мОм. Максимальна потужність розсіювання (Pd) обмежена значенням 53 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік (Vgs) — 20 В.
Конструкція та монтаж
Транзистор виконаний у корпусі PG-TO252-3 із поверхневим типом монтажу (SMD). Канал транзистора є збагачуваним (enhancement mode). Версія: ESD.
Комплектація
У наборі міститься 10 шт. транзисторів. Заряд затвора становить 18 нКл. Транзистор є уніполярним.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 53 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 600 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 8 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 280 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | CoolMOS™ P7 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 040 ₴