Транзистор P-MOSFET Infineon IPD50P04P4L11ATMA2, -40В, -40А, 58Вт (набір 20 шт.)
2 960 ₴
- В наявності
- Код: TM203410
Транзистор P-MOSFET Infineon IPD50P04P4L11ATMA2, -40В, -40А, 58Вт (набір 20 шт.)В наявності
2 960 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPD50P04P4L11ATMA2. Це польовий транзистор із каналом збагачення, що працює при напрузі -40 В та струмі -40 А. У комплекті постачається 20 одиниць.
- Тип транзистора: Польовий
- Максимальна потужність розсіювання: 58 Вт
- Максимально допустима напруга затвор-витік: 5 В
- Опір у відкритому стані (Rds): 10.6 мОм
- Тип монтажу: Поверхневий
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну потужність розсіювання 58 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 5 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 10.6 мОм.
Конструкція та монтаж
Використовується поверхневий тип монтажу. Корпус має позначення PG-TO252-3-313. Застосовується технологія OptiMOS® -P2.
Комплектація
У наборі 20 шт.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 58 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 5 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 10.6 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3-313 |
| Технологія | OptiMOS® -P2 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 960 ₴