Транзистор N-MOSFET Infineon IPD50N06S4L12ATMA2, 60В, 36А, 50Вт (набір 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPD50N06S4L12ATMA2. Це польовий транзистор з технологією OptiMOS™ T2 у корпусі PG-TO252-3 для поверхневого монтажу. Максимальна напруга стік-витік становить 60 В, а струм стоку — 36 А.

• Тип транзистора: Польовий (N-MOSFET)
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 36 А
• Максимальна потужність розсіювання: 50 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 12 мОм
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 60 В та максимально допустимою напругою затвор-витік 16 В. Максимальний струм стоку становить 36 А. Опір у відкритому стані (Rds) становить 12 мОм.

Потужність та конструкція

Максимальна потужність розсіювання транзистора становить 50 Вт. Пристрій виготовлений за технологією OptiMOS™ T2 та має канал типу wzbogacany (збагачений). Поляризація транзистора — unipolarny (уніполярний).

Комплектація та монтаж

У комплекті поставляється 30 шт. транзисторів. Корпус PG-TO252-3 призначений для поверхневого монтажу. Заряд затвора становить 30 нКл.