Транзистор P-MOSFET Infineon IPD068P03L3GATMA1, 100 Вт, PG-TO252-3, 20 шт.

Транзистор P-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPD068P03L3GATMA1. Це польовий транзистор з максимальним струмом -70 А та потужністю розсіювання 100 Вт у корпусі PG-TO252-3.

• Тип транзистора: Польовий (P-MOSFET)
• Максимальна потужність розсіювання: 100 Вт
• Максимально допустима напруга затвор-витік: 20 В
• Опір у відкритому стані (Rds): 11 мОм
• Корпус: PG-TO252-3
• Тип монтажу: Поверхневий
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Транзистор має максимальну потужність розсіювання 100 Вт. Максимально допустима напруга затвор-витік становить 20 В. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 11 мОм.

Конструкція та монтаж

Виріб виконаний у корпусі PG-TO252-3. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Використовується технологія OptiMOS™ P3.

Комплектація

У комплекті поставляється 20 шт. транзисторів.