Транзистор N-MOSFET Infineon IPD040N03LGATMA1, 30В, 79А, 94Вт, PG-TO252-3 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPD040N03LGATMA1. Це польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для поверхневого монтажу в корпусі PG-TO252-3. У комплекті поставляється 20 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий)
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Максимальний струм стоку: 79 А
• Потужність розсіювання: 94 Вт
• Опір у відкритому стані: 4 мОм
• Корпус: PG-TO252-3
• Кількість у комплекті: 20 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 30 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку становить 79 А. Максимальна потужність розсіювання — 94 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 4 мОм.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією OptiMOS™ 3. Корпус PG-TO252-3 передбачає поверхневий монтаж (SMD). Полярність транзистора — уніполярна, тип каналу — збагачуваний.