Транзистор N-MOSFET Infineon IPD031N06L3GATMA1, 60В, 100А, 167Вт (набір 10 шт.)
2 600 ₴
- В наявності
- Код: TM203406
Транзистор N-MOSFET Infineon IPD031N06L3GATMA1, 60В, 100А, 167Вт (набір 10 шт.)В наявності
2 600 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPD031N06L3GATMA1. Це польовий транзистор з каналом типу збагачення (N-канальний), призначений для поверхневого монтажу.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, збагачений канал)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 100 А
- Потужність розсіювання: 167 Вт
- Опір у відкритому стані (Rds): 3.1 мОм
- Корпус: PG-TO252-3, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та максимальний струм стоку 100 А. Максимальна потужність розсіювання становить 167 Вт. Опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 3.1 мОм.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3 та має корпус PG-TO252-3. Тип монтажу — поверхневий (SMD).
Комплектація
У наборі поставляється 10 шт. транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 167 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | PG-TO252-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 600 ₴