Транзистор N-MOSFET Infineon IPB60R180C7ATMA1, 600 В, 8 А, D2PAK (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET бренду Infineon Technologies, модель IPB60R180C7ATMA1. Це польовий транзистор з напругою стік-витік 600 В та струмом стоку 8 А у корпусі D2PAK.

• Тип: N-MOSFET, польовий транзистор
• Напруга стік-витік: 600 В
• Струм стоку: 8 А
• Опір у відкритому стані: 180 мОм
• Потужність розсіювання: 68 Вт
• Корпус: D2PAK, монтаж поверхневий
• Технологія: CoolMOS™ C7
• Кількість у комплекті: 10 шт.

Електричні параметри

Максимально допустима напруга стік-витік становить 600 В, а напруга затвор-витік — 20 В. Максимальний струм стоку дорівнює 8 А. Опір у відкритому стані (Rds) — 180 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 68 Вт.

Конструкція та монтаж

Транзистор виготовлений за технологією CoolMOS™ C7. Корпус — D2PAK. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Канал транзистора — вбудований (wzbogacany), полярність — уніполярна. Заряд затвора — 24 нКл.

Технічні особливості каналу та заряду затвора

У наборі 10 транзисторів.