Транзистор N-MOSFET Infineon IPB107N20NAATMA1, 200 В, 88 А, 300 Вт (PG-TO263-3), 5 шт.

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB107N20NAATMA1 — це польовий транзистор з каналом збагачення. Модель має максимальну напругу стік-витік 200 В та струм стоку 88 А, що визначає її потужність розсіювання 300 Вт.

• Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, збагачений канал)
• Максимальна напруга стік-витік: 200 В
• Максимальний струм стоку: 88 А
• Потужність розсіювання: 300 Вт
• Опір у відкритому стані (Rds): 10.7 мОм
• Корпус: PG-TO263-3, монтаж поверхневий
• Кількість у комплекті: 5 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 200 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 88 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 10.7 мОм. Ці характеристики визначають робочі межі компонента в електричному ланцюзі.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі PG-TO263-3 з використанням технології OptiMOS™ 3. Тип монтажу — поверхневий (SMD), що передбачає розміщення на платі без виведення через отвори. Транзистор є уніполярним та належить до типу польових транзисторів.

Комплектація

У наборі постачається 5 шт. транзисторів.