Транзистор N-MOSFET Infineon IPB037N06N3GATMA1, 60В, 90А, 188Вт (набір 20 шт.)
3 100 ₴
- В наявності
- Код: TM203403
Транзистор N-MOSFET Infineon IPB037N06N3GATMA1, 60В, 90А, 188Вт (набір 20 шт.)В наявності
3 100 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду Infineon Technologies, модель IPB037N06N3GATMA1. Це польовий транзистор з каналом збагачення, розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 90 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (польовий, канал збагачення)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 90 А
- Опір у відкритому стані (Rds): 3.7 мОм
- Корпус: PG-TO263-3, монтаж поверхневий
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 60 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 90 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 3.7 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 188 Вт.
Конструкція та монтаж
Компонент виготовлений за технологією OptiMOS™ 3 у корпусі PG-TO263-3. Тип монтажу — поверхневий (SMD). Транзистор є уніполярним з каналом збагачення.
Комплектація транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Максимальна потужність розсіювання | 188 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 90 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.7 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Додаткові характеристики | |
| Стан | Новий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Гарантійний термін | 12 міс |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | PG-TO263-3 |
| Технологія | OptiMOS™ 3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 100 ₴