Транзистор N-MOSFET Infineon IPB029N06N3GATMA1, 60В, 120А, 188Вт (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Infineon IPB029N06N3GATMA1 — це польовий транзистор з каналом збагачення. Модель має максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 120 А, що визначає її потужність у 188 Вт.

• Тип транзистора: польовий N-MOSFET
• Максимальна напруга стік-витік: 60 В
• Максимальний струм стоку: 120 А
• Потужність розсіювання: 188 Вт
• Опір у відкритому стані: 2.9 мОм
• Корпус: PG-TO263-3
• Кількість у наборі: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з максимально допустимою напругою стік-витік 60 В та напругою затвор-витік 20 В. Максимально допустимий струм стоку становить 120 А, а опір у відкритому стані (Rds) дорівнює 2.9 мОм. Максимальна потужність розсіювання — 188 Вт.

Конструкція та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі PG-TO263-3 з використанням технології OptiMOS™ 3. Тип монтажу — поверхневий. Канал транзистора — збагачений (enhancement mode), полярність — уніполярна.

Комплектація

У наборі поставляється 10 транзисторів. Кількість у комплекті вказана як 10 шт.